
Чип памяти RRAM емкостью 16 Гбит изготавливается по нормам 27-нанометрового технологического процесса. Устройство обеспечивает скорость чтения данных на уровне 900 МБ/с при задержках 2,3 мкс. Это несколько хуже расчетного результата – 1000 МБ/с при задержках 2 мкс. Фактическая скорость записи данных составила 180 МБ/с (расчетная скорость записи – 200 МБ/с) при задержках 11,7 мкс (расчетные задержки – 10 мкс).
