Crossbar RRAM – перспективная замена NAND флеш-памяти

  • Автор темы Автор темы Shegorat
  • Дата начала Дата начала

Shegorat

Lord of Madness
Администратор
b3be75403e4a6b83d5be21b061d8985f.png

Американский разработчик Crossbar объявил о выходе опытных образцов памяти RRAM (resistive random access memory), которая также известна как ReRAM и с 2012 года рассматривается в качестве альтернативы традиционным типам энергонезависимой памяти. Принцип работы RRAM заключается в создании сопротивления, а не в непосредственном хранении заряда. Под воздействием электрического тока меняется сопротивление материала, и это считывается как единица или ноль. Задача массового производства RRAM неразрывно связана с поиском соответствующего материала, способного стабильно реагировать на изменение сопротивления ячеек. Теоретически RRAM будет намного экономичнее, долговечнее и компактнее флеш-памяти.

На данном этапе Crossbar ориентируется на выпуск RRAM для встраиваемых микроконтроллеров. Разработкой американцев уже заинтересовались такие киты рынка цифровых технологий, как SK Hynix, Panasonic и HP. В долгосрочной перспективе RRAM способна дополнить или даже заменить привычные модули оперативной памяти. Потребность в замене NAND флеш-памяти назрела давно, поскольку с каждым годом производителям становится все труднее переходить на более «тонкие» технологические нормы, а спрос на емкие накопители будет только расти.

2466333f81b4c484f451a1a16552f059.jpg

По утверждению разработчиков, память нового поколения позволит хранить до 1 Тбайт данных в микросхеме площадью 200 мм[SUP]2[/SUP].
 
Назад
Сверху