![](/proxy.php?image=http%3A%2F%2Fi031.radikal.ru%2F1205%2F1c%2Fa8a8fae5e2c2.jpg&hash=24851ad75cc9b6d0bcb6f1a80ac0bfe0)
Компания Buffalo продемонстрировала образцы твердотельных накопителей, в которых роль кеша играют микросхемы магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM).Память MRAM, хранящая информацию при помощи магнитных моментов, совмещает достоинства динамической и флеш-памяти. Микросхемы MRAM обладают небольшим временем доступа и вместе с тем являются энергонезависимыми, то есть могут хранить данные без питания. Кроме того, в отличие от флеш-памяти, характеристики MRAM не ухудшаются за время эксплуатации.
Отмечается, что применение MRAM-чипов в качестве кеша в SSD-дисках позволяет повысить надёжность: в частности, в случае сбоев в системе подачи питания минимизируется риск потери информации. Кроме того, повышаются показатели энергетической эффективности и скорости передачи данных.
Представленные компанией Buffalo изделия имеют вместимость 4 Гб; объём MRAM-кеша равен 8 Мб. Накопители ориентированы на использование в промышленном оборудовании, которое эксплуатируется при температурах до плюс 85 ˚С.
Благодаря своей универсальности память MRAM, как ожидается, в перспективе найдёт применение в самых разнообразных устройствах — от смартфонов и персональных компьютеров до бытовой техники.