1. Уважаемые гости и пользователи форума.
    Администрация настоятельно рекомендует не регистрировать несколько аккаунтов для одного пользователя. При выявлении наличия мультиаккаунтов будут заблокированы все учетные записи данного пользователя.
    Аккаунты, зарегистрированные на временную почту будут также заблокированы.

Buffalo разработала твердотельные накопители с MRAM-памятью

Тема в разделе "Новости Hardware", создана пользователем STALKER, 14 май 2012.

  1. Ветеран Модератор

    Регистрация:
    23 дек 2011
    Сообщения:
    602
    Симпатии:
    738
    Пол:
    Мужской
    [​IMG]

    Компания Buffalo продемонстрировала образцы твердотельных накопителей, в которых роль кеша играют микросхемы магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM).Память MRAM, хранящая информацию при помощи магнитных моментов, совмещает достоинства динамической и флеш-памяти. Микросхемы MRAM обладают небольшим временем доступа и вместе с тем являются энергонезависимыми, то есть могут хранить данные без питания. Кроме того, в отличие от флеш-памяти, характеристики MRAM не ухудшаются за время эксплуатации.

    Отмечается, что применение MRAM-чипов в качестве кеша в SSD-дисках позволяет повысить надёжность: в частности, в случае сбоев в системе подачи питания минимизируется риск потери информации. Кроме того, повышаются показатели энергетической эффективности и скорости передачи данных.

    Представленные компанией Buffalo изделия имеют вместимость 4 Гб; объём MRAM-кеша равен 8 Мб. Накопители ориентированы на использование в промышленном оборудовании, которое эксплуатируется при температурах до плюс 85 ˚С.

    Благодаря своей универсальности память MRAM, как ожидается, в перспективе найдёт применение в самых разнообразных устройствах — от смартфонов и персональных компьютеров до бытовой техники.
     

Поделиться этой страницей